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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 280V 40A TO-3PF
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替代：
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漏源极电压（vdss）：280V
电流 - 连续漏极(id)：40A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：85W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-3PF
料号：JTG8-1587
包装：
参考价格:￥31.278400
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描述： MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
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功率 - 最大值：85W（Tc）
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外壳：
封装：TO-3PF
料号：JTG8-1588
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
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替代：
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功率 - 最大值：85W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-3P
料号：JTG8-1707
包装：
参考价格:￥31.278400
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 40V TO-3P
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封装：TO-3P
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描述： MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
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描述： MOSFET N-CH 200V 45A TO-263
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丝印：
外壳：
封装：TO-263-3
料号：JTG8-2116
包装：
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丝印：
外壳：
封装：TO-3P
料号：JTG8-2188
包装：
参考价格:￥31.278400
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描述： MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 50V TO-220
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 60V TO220S
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:280V *电流 - 连续漏极(id):40A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:43 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:330V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:63 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:95W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:95W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):85A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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丝印：
外壳：
封装：TO-220S
料号：JTG8-5186
包装：
参考价格:￥31.278400
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
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fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：50V
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功率 - 最大值：35W（Tc）
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封装：TO-220F
料号：JTG8-5187
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参考价格:￥31.278400
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F
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替代：
fet 类型：N 通道
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功率 - 最大值：40W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5198
包装：
参考价格:￥31.278400
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 250V TO-220F
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:280V *电流 - 连续漏极(id):40A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:43 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:330V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:63 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:95W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:95W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):85A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):25A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:75 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
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丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5208
包装：
参考价格:￥31.278400
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 60V 52A TO-220F
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替代：
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外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5240
包装：
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品牌： Sanken复制 Sanken
描述： MOSFET N-CH 900V TO-220F
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:280V *电流 - 连续漏极(id):40A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:43 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:330V *电流 - 连续漏极(id):30A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:63 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4600pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:95W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):45A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:53 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:95W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):70A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:130W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.2V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:85W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:175 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):85A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极(id):50A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:13 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5V @ 250µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):25A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:75 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极(id):31A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:17.8 毫欧 @ 23.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55.8nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):52A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6.3 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53.6nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3810pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:450V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1µA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:720pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:- 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:900V *电流 - 连续漏极(id):3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4V @ 1mA *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:30W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：900V
电流 - 连续漏极(id)：3A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：30W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220F
料号：JTG8-5315
包装：
参考价格:￥31.278400
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2SK2943' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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